1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）

2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。

3．说出制作N-well的工艺流程。

4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。

5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。

来源：SOHU

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